Grafito ISO de alta pureza

Grafito ISO de alta pureza
Detalles:
O grafito ISO de alta pureza posúe un contido de carbono superior ou igual ao 99,99 %, unha estrutura densa, unha excelente condutividade térmica/eléctrica e resistencia á calor, ideal para semicondutores e fornos de alta-temperatura.
MOQ: 1 bolsa/50 kg
Material: grafito natural
Enviar consulta
Descrición
Enviar consulta

Núcleo do produto

O grafito ISO de alta pureza fábricase mediante prensado isostático en frío (CIP) para lograr unha densificación uniforme 3D a ultra-presión (140-200 MPa). Feito a partir de coque de petróleo purificado a máis de 2500 graos , presenta unha densidade case-teórica e unha isotropía excelente, o que garante un rendemento estable en diversas aplicacións.

Parámetros técnicos

Parámetro

Valor clave

Densidade

1,80–1,92 g/cm³

Contido de cinzas

Menor ou igual a 100 ppm

Relación de anisotropía

1.0–1.05

Coeficiente de expansión térmica (CTE)

4,2–5,0 × 10⁻⁶/K (RT–400 graos)

Pureza

C Maior ou igual ao 99,9 %

Condutividade térmica

110–130 W/(m·K)

Resistencia á flexión

55-85 MPa

Os produtos admiten a personalización personalizada.

Características básicas

  • Ultra-elevada pureza: ultra-poucas impurezas de cinzas/metálicos (Fe, Ca, Na), ICP-MS verificado, encaixa en campos sensibles a impurezas-.
  • Excelente densidade: alta densidade aparente, baixa porosidade, aumentando a condutividade térmica e a capacidade mecánica.
  • Isotropía: diferenzas mínimas na expansión térmica/resistencia á flexión entre direccións.
  • Extrema resistencia á calor: estable a altas temperaturas en atmosferas inertes (revestimento necesario en ambientes oxidantes por encima de temperaturas específicas).
  • Resistencia ao choque térmico: soporta cambios rápidos de temperatura sen rachar.
  • Maquinabilidade de precisión: o grafito ISO de alta pureza presenta tolerancias estreitas e pódese procesar en pezas complexas (discos de turbina, crisols).

Aplicacións clave

  • Semicondutores: compoñentes térmicos/portadores de obleas de forno de silicio monocristalino (resistencia a altas temperaturas-, impurezas ultra-baixas).
  • Fotovoltaico: Crisols/quentadores de lingotes de polisilicio (resistir á erosión por fusión de silicio).
  • Enerxía nuclear: reflectores de neutróns do reactor refrixerados con-gas-de alta temperatura (cumpre as especificacións de grao-nuclear).
  • Aeroespacial: insercións de boca de foguetes/aletas de mísiles (resistir á ablación de-temperatura extremadamente alta).
  • Metalurxia de-alta gama: crisols de fusión de aliaxe de titanio (reutilizables, sen fugas).
  • Equipos industriais: electrodos de electroerosión/partes clave do forno de-alta temperatura.

Certificación e Personalización

 

O grafito ISO de alta pureza cumpre coas normas SEMI F76 (semicondutores), ISO 8005 (nuclear), EN 10298/ASME BPVC (seguridade) e RoHS 3.0 (ambientais). Os servizos personalizados inclúen: silicidación (para mellorar a resistencia á oxidación), impregnación secundaria (para aumentar a densidade) e optimización de estruturas ultra-finas (para mellorar a tenacidade).

High Purity ISO Graphite
High Purity ISO Graphite

Etiquetas en quente: Grafito ISO de alta pureza, China Fabricantes de Grafito ISO de alta pureza

Enviar consulta